ЗАГРУЗКА...

SSD Samsung MZ-7KE1T0BW

Нет в наличии

Samsung
SSD Samsung MZ-7KE1T0BW
№ 990421

Описание ssd Samsung MZ-7KE1T0BW

Что такое технология 3D V-NAND и в чем ее особенности?

В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков: для повышения емкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает взаимные помехи между ними и снижает надежность хранения информации. SSD-накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую взаимные помехи, а увеличение емкости достигается за счет расположения их в несколько слоев — без ущерба для надежности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 PRO имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно емкую, быструю и надежную, преодолев все основные недостатки традиционной планарной NAND-архитектуры.

Инновационная 3D V-NAND: не только объем, но и скорость

Благодаря новейшей технологии Samsung 3D V-NAND, SSD-накопители серии 850 PRO сочетают большой объем и великолепную надежность с непревзойденной скоростью передачи данных и при последовательном, и при случайного доступе к ним. Ярким примером этому служит 128-ГБ модель, которая по скорости записи более чем на 100 MБ/с превосходит типичные аналогичные модели, представленные на современном рынке SSD-накопителей.

Переключитесь на высшую передачу в режиме RAPID

Подобно переключению на более высокую передачу в автомобиле, программа Samsung Magician позволит вам еще больше увеличить скорость работы SSD, включив режим RAPID. Он использует свободную оперативную память компьютера в качестве интеллектуального кэша — и поэтому особенно эффективен для ПК с большим объемом ОЗУ. В режиме RAPID скорость чтения со случайной выборкой даже при глубине очереди команд 1 (QD1) будет практически такой же, как при глубине очереди QD32. Результаты теста PCMark Vantage для SSD 850 PRO 512 ГБ: 53 тыс. баллов в обычном режиме и 97 тыс. баллов в режиме RAPID.

Потрясающая надежность хранения данных

Рабочий ресурс SSD-накопителей 850 PRO в два раза превышает ресурс их предшественников — серии 840 PRO. Ресурс записи SSD 850 PRO 128 ГБ — 150 терабайт данных, то есть, при записи на накопитель 40 ГБ ежедневно (четырёх фильмов в формате FullHD) ресурс будет выработан лишь через 10 лет. И чтобы подчеркнуть надежность накопителей серии 850 PRO, Samsung устанавливает на все модели серии 10-летнюю гарантию!

Работает быстрее и дольше

SSD-накопитель серии 850 PRO позволит вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше — благодаря высокоэффективному управлению энергопотреблением. В специальном режиме сна DIPM (Device Initiated Link Power Management) SSD-накопитель 850 PRO потребляет всего лишь 2 мВт — в десятки раз меньше, чем типичные SSD-накопители без поддержки DIPM, не говоря уже об обычных жёстких дисках. Кроме того, использование 3D V-NAND и буферной памяти типа LPDDR2 вместо обычно DDR2 или DDR3 позволяет снизить энергопотребление накопителя даже при активной работе.  SSD серии 840 PRO: 54 мВт в режиме сна, 840 EVO: 45 мВт в режиме сна, 850 PRO: 2 мВт в режиме сна

Динамическая теплозащита

Динамическая теплозащита в накопителях 850 PRO также обеспечивает сохранность ваших данных.

Слаженная работа всех компонентов

В отличие от многих производителей, компания Samsung самостоятельно выпускает все компоненты своих SSD-накопителей. Результатом этого является высочайшая надежность, эффективность и слаженность работы всех компонентов SSD-накопителя.

Характеристики ssd Samsung MZ-7KE1T0BW

Основные характеристики

Назначение
для настольного компьютера, для ноутбука
Тип
SSD
Форм-фактор HDD
2.5"
Линейка
SSD 850 PRO Series

Характеристики накопителя

Объем
1024 Гб
Объем буферной памяти
1024 Мб
Скорость записи
520 Мб/с
Скорость чтения
550 Мб/с
Скорость случайной записи (блоки по 4Кб)
90000 IOPS

Интерфейсы

Внешняя скорость передачи данных
600 Мб/с
Интерфейс SATA 6Gb/s
Есть

Дополнительно

Высота (мм)
6.8 мм
Ширина (мм)
69.85 мм
Глубина (мм)
100 мм
Дополнительная информация
поддержка секторов размером 4 Кб; тип флэш-памяти 3D V-NAND; контроллер Samsung MEX

Механика/Надежность

Время наработки на отказ
2000000 ч
Ударостойкость при хранении
1500 G
Производитель может менять комплектацию, внешний вид, страну производства и технические характеристики модели на свое усмотрение и без дополнительных уведомлений. Проверяйте в момент покупки товара.
Банан © 2018