ЗАГРУЗКА...

SSD Samsung MZ-N5E500BW

Нет в наличии

Samsung
SSD Samsung MZ-N5E500BW
№ 990783

Описание ssd Samsung MZ-N5E500BW

Особенности технологии 3D V-NAND

В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков: для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения их в несколько слоёв — без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 EVO имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную.

Уникальная технология TurboWrite - непревзойдённая скорость обмена данными

Обеспечьте максимальную скорость чтения / записи, для оптимизации скорости выполнения рутинных задач с технологией TurboWrite от компании Samsung. По сравнению с серией 840 EVO, накопители серии EVO 850 показывают на 13% более высокий уровень производительности, благодаря более высокой скорости (около 2-х раз) случайной (random) записи. Они так же обеспечивают высочайшую производительность в своем классе и с последовательной (sequential) скоростью чтения и записи, обеспечивая результат в 540 МБ/с и 520 MБ/с соответственно. Наслаждайтесь оптимизированной случайной (random) производительностью на всех диапазонах глубины очереди (QD) на ПК.

Переключитесь на высшую передачу в режиме RAPID

Накопители серии 850 EVO с интерфейсом M.2 - настоящие скоростные болиды. Последняя версия программы Samsung Magician позволит вам ещё больше увеличить скорость работы вашего накопителя, включив режим RAPID. Он способен задействовать до 25% свободной оперативной памяти (DRAM) вашего компьютера в качестве интеллектуального кэша. В режиме RAPID скорость передачи данных, а так же скорость чтения со случайной (random) выборкой возрастает до 2-х раз по сравнению с обычным режимом.

Надёжность подкреплённая технологией 3D V-NAND

SSD накопители серии 850 EVO гарантируют надёжность и долговечность за счёт удвоения жизненного цикла Total Bytes Written (TBW) в сравнении с предыдущим поколением накопителей серии 840 EVO , что подтверждается 5-и летней гарантией на устройства. А учитывая среднее повышение производительности (Sustained Performance) до 30%, накопители серии 850 EVO становятся одними из самых надежных решений для хранения данных.


Энергоэффективность при поддержке 3D V-NAND

Универсальные Накопители серии 850 EVO подойдут вам мне зависимости от типа устройства, к которому вы собираетесь их подключать, или типа размера их коннектора. Накопители серии 850 EVO M.2 SATA имеют такие же узкие и тонкие коннекторы как и SSD накопители M.2 PCIe, только с поддержкой интерфейса SATA. Это идеально решение для современных домашних ПК, ноутбуков, а в особенности ультрабуков или планшетных ПК, где размер имеет решающее значение.


Слаженная работа всех компонентов

Динамическая теплозащита в накопителях серии 850 EVO постоянно и автоматически поддерживает идеальную температуру для оптимальной работы устройства. При помощи программ «One-stop Install Navigator» и Samsung Data Migration, которые идут в комплекте, вы сможете в два счёта перенести ваши данные со старого SSD или HDD накопителя на накопитель 850 серии EVO, а с помощью программ Magician можно дополнительно оптимизировать его работу. В отличие от многих производителей, компания Samsung самостоятельно выпускает все компоненты своих SSD накопителей. Результатом этого является высочайшая надежность, эффективность и слаженность работы всех компонентов SSD-накопителя.

Характеристики ssd Samsung MZ-N5E500BW

Основные характеристики

Назначение
для настольного компьютера, для ноутбука
Тип
SSD
Линейка
SSD 850 EVO

Характеристики накопителя

Объем
500 Гб
Объем буферной памяти
512 Мб
Скорость записи
500 Мб/с
Скорость чтения
540 Мб/с
Скорость случайной записи (блоки по 4Кб)
89000 IOPS

Интерфейсы

Внешняя скорость передачи данных
600 Мб/с
Интерфейс SATA 6Gb/s
Есть

Дополнительно

Высота (мм)
2.38 мм
Ширина (мм)
22 мм
Глубина (мм)
80 мм
Дополнительная информация
поддержка секторов размером 4 Кб; тип флэш-памяти 3D V-NAND; контроллер Samsung MGX

Механика/Надежность

Время наработки на отказ
1500000 ч
Ударостойкость при хранении
1500 G
Производитель может менять комплектацию, внешний вид, страну производства и технические характеристики модели на свое усмотрение и без дополнительных уведомлений. Проверяйте в момент покупки товара.
Банан © 2018