Характеристики Qumo DDR3 DIMM 8Gb PC12800 1600Mhz CL11
Основные характеристики
Количество модулей в комплекте
1
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
30
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
16
Упаковка чипов
Двусторонняя
Производитель может менять комплектацию, внешний вид, страну производства и технические характеристики модели на свое усмотрение и без дополнительных уведомлений. Проверяйте в момент покупки товара.