Характеристики Qumo DDR3 SODIMM 8Gb 1600Mhz PC12800 CL11
Основные характеристики
Количество модулей в комплекте
1
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
30
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
16
Упаковка чипов
Двусторонняя
Производитель может менять комплектацию, внешний вид, страну производства и технические характеристики модели на свое усмотрение и без дополнительных уведомлений. Проверяйте в момент покупки товара.
Банан © 2018
