Характеристики оперативной памяти Samsung DDR3 SO-DIMM DDR3 8Gb M471B1G73EB0-YK0
Основные характеристики
Количество модулей в комплекте
1
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
30
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
16
Упаковка чипов
Двусторонняя
Производитель может менять комплектацию, внешний вид, страну производства и технические характеристики модели на свое усмотрение и без дополнительных уведомлений. Проверяйте в момент покупки товара.
Банан © 2018
