Характеристики оперативной памяти Samsung DDR3 UNB 1600 4GB M378B5273TB0-CK000
Основные характеристики
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Дополнительно
Производитель может менять комплектацию, внешний вид, страну производства и технические характеристики модели на свое усмотрение и без дополнительных уведомлений. Проверяйте в момент покупки товара.
Банан © 2018
